SRM2134硅深度剖面標準中砷植入標準品NIST 旨在用于通過二次離子質譜 (SIMS) 分析技術校準對硅基質中微量和痕量砷的二次離子響應。 SRM 2134 用于校準 SIMS 儀器在特定儀器條件下對硅基質中砷的響應。它也可以被實驗室用作校準硅中砷工作標準的轉移標準。 SRM 2134 的一個單元由一個 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已以 100 keV 的標稱能量離子注入同位素 75As。 SRM 2134 經(jīng)認證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質量單位表示。額外的SIMS 提供了有關砷原子濃度隨地表以下深度變化的未經(jīng)認證的信息。

認證濃度值： 

75As 原子的總保留劑量通過儀器中子活化分析確定。將兩種獨立制備的砷參考溶液（其中一種是 NIST SRM 3103a 砷標準溶液，經(jīng)砷濃度認證）等分試樣沉積在濾紙上，作為分析中的標準。得到的認證值和擴展的不確定性為 75As 的認證保留劑量：

0.09120 ± g/cm2 ± 0.00035 ± g/cm2

對于 75As 的同位素質量使用 74.9216 g/mol 的值，保留劑量相當于

7.330 × 1014 個原子/cm2 ± 0.028 × 1014 個原子/cm2

認證值的不確定度表示為擴展不確定度 U = kuc，其中 k 是 2.04 的覆蓋因子，置信水平約為 95%，uc 是根據(jù) ISO 指南 [1] 計算的組合標準不確定度.組合標準不確定度是從測量過程中導出或估計的單個標準不確定度平方和的平方根。 A 類和 B 類標準不確定度分量來自以下主要來源的測量不確定度：(1) 比較標準的濃度，(2) 樣品和標準之間的中子注量暴露差異，(3) 測量復制，(4) 標準的計數(shù)統(tǒng)計，(5) 脈沖堆積，以及 (6) 衰減時間效應。已考慮所有已知的潛在不確定性來源

生產(chǎn)和物理描述： 

起始材料由一側拋光的商用 200 mm p 型硅 (100) 單晶晶片組成。硅晶片的拋光面在離子注入機中以 100 keV 的標稱能量注入 75As 離子。在此期間，晶片名義上處于室溫植入。用晶圓鋸將晶圓切割成 1 cm x 1 cm 的正方形。所有方格都位于距晶片邊緣至少 1 厘米處。

處理、儲存和使用說明

處理： SRM2134硅深度剖面標準中砷植入標準品NIST  的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前，應立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM，因為表面氧化物可能會去除一些砷。

儲存：不使用時，SRM 應存放在其原始托盤中，并蓋緊蓋子。

用途：隨著連續(xù)層被離子轟擊去除，通過 SIMS 監(jiān)測一種或多種濺射離子種類，可以獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息。當使用這種技術時，一個物種的濃度值通常使用與未知物相同的基質中相同物種的參考樣品進行校準 [5,6]。